Усі міжнародні тренажери на платформі IG MARITIME — безкоштовні для всіх моряків. Зареєструйтеся один раз, щоб зберігати свій прогрес і готуватися до рейсу без обмежень!

OEM2-RO-dispozitive semiconductoare (B)

Пошук у розділі

Виберіть набір запитань і почніть навчання або іспит.

Про цей набір

База ANR складається з великої кількості наборів із вихідними назвами й кодами. Серед них є завдання з навігації, безпеки та обладнання. Виберіть потрібний модуль за назвою або скористайтеся пошуком запитань.

У наборі «ANR — Electrotehnica-SEM_OEM2 — OEM2-RO-dispozitive semiconductoare (B)» — 12 запитань. Доступний 1 набір.

Навчання

У навчанні немає таймера: після відповіді ви одразу побачите результат і правильні варіанти. Можна повернутися до запитання та повторити тему.

Іспит

Іспит триває до 60 хвилин і містить до 50 запитань із вибраного набору. Правильні відповіді та результат доступні після завершення.

Приклади запитань і відповідей

Це приклади з опублікованого набору. Для послідовної підготовки виберіть «Навчання», для перевірки знань — «Іспит».

Pentru un tranzistor care functioneaza in regiunea activa normala, curentul de emitor este

Один правильний варіант

  • mai mare decat curentul de colector numai pentru tranzistoare pnp
  • mai mare decat curentul de colector numai pentru tranzistoare npn
  • mai mare decat curentul de colector atat pentru tranzistoare pnp cat si pentru tranzistoare npn✓ Правильна відповідь
  • intotdeauna mai mic decat curentul de colector
Jonctiunea poarta (grila)- canal a unui tranzistor cu efect de camp cu jonctiune, functionand in regiunea de saturatie este:

Один правильний варіант

  • nepolarizata;
  • uneori in conductie, alteori blocata direct
  • totdeauna blocata;✓ Правильна відповідь
  • totdeauna in conductie
Consideram o dioda cu germaniu si o dioda cu siliciu avand aceleasi limite de curent. Comparand cele doua diode in ceea ce priveste caderea de tensiune corespunzatoare unui anumit curent in regim de conductie directa si curentul rezidual in regim de conductie inversa, se poate face urmatoarea afirmatie:

Один правильний варіант

  • caderea de tensiune in conductie directa si curentul invers sunt mai mici la dioda cu siliciu
  • caderea de tensiune in conductie directa este mai mica iar curentul invers este mai mare la dioda cu siliciu
  • caderea de tensiune in conductie directa si curentul invers sunt mai mari la dioda cu siliciu
  • caderea de tensiune in conductie directa este mai mare iar curentul invers este mai mic la dioda cu siliciu✓ Правильна відповідь
Pentru un tranzistor care functioneaza in regiunea activa normala relatia dintre IBsi IC este:

Один правильний варіант

  • IC =b IB✓ Правильна відповідь
  • IC=IB
  • IC=(b+1)IB
  • IC=a IB
Rezistenta dinamica (de semnal mic) ra a unei diode este:

Один правильний варіант

  • panta caracteristicii iA – uA in punctul de functionare
  • inversul pantei caracteristicii iA – uA in punctul de functionare✓ Правильна відповідь
  • raportul IA/UA in punctul de functionare
  • raportul UA/IA in punctul de functionare

Перед початком підготовки

Чи потрібна реєстрація, щоб почати?

Гостьовий доступ триває 23 хвилин. Безкоштовна реєстрація дає змогу продовжити без обмежень, зберігати прогрес і повертатися до помилок в особистому кабінеті.

Якою мовою будуть запитання?

Запитання та варіанти відповідей зберігають мову вихідної бази. Мову інтерфейсу можна змінити окремо.

Чи можна використати результат як офіційний документ?

Ні. Це самостійна підготовка. Результат не замінює іспит, свідоцтво або перевірку знань в уповноваженій організації.