Electrotehnica-OEM3

Выберите набор вопросов и начните обучение или экзамен.

Electrotehnica-OEM3
23 вопроса
Поиск

О подготовке в этом разделе

Банк ANR состоит из большого числа наборов с исходными названиями и кодами. Среди них есть задания по навигации, безопасности и оборудованию. Выберите нужный модуль по названию или воспользуйтесь поиском по вопросам.

В наборе «ANR — OEM3-RO-DISPOZITIVE — Electrotehnica-OEM3» — 23 вопроса. Доступен 1 набор.

Обучение

В обучении нет таймера: после ответа вы сразу увидите результат и правильные варианты. Можно вернуться к вопросу и повторить тему.

Экзамен

Экзамен длится до 60 минут и включает до 50 вопросов из выбранного набора. Правильные ответы и результат доступны после завершения.

Примеры вопросов и ответов

Это примеры из опубликованного набора. Для последовательной подготовки выберите «Обучение», для проверки знаний — «Экзамен».

Pentru un tranzistor bipolar in regim de blocare

Один правильный вариант

ambele jonctiuni sunt polarizate invers✓ Правильный ответ
ambele jonctiuni sunt polarizate direct
jonctiunea emitorului este polarizata direct, iar jonctiunea emitorului este polarizata invers
jonctiunea colectorului este polarizata direct, iar jonctiunea emitorului este polarizata invers

Pentru un tranzistor care functioneaza in regiunea activa normala, curentul de emitor este

Один правильный вариант

mai mare decat curentul de colector numai pentru tranzistoare pnp
mai mare decat curentul de colector numai pentru tranzistoare npn
mai mare decat curentul de colector atat pentru tranzistoare pnp cat si pentru tranzistoare npn✓ Правильный ответ
intotdeauna mai mic decat curentul de colector

Tranzitia din starea de blocare in starea de conductie (amorsarea sau aprinderea) unui tiristor se face prin

Один правильный вариант

numai comanda de pe poarta
comanda de pe poarta si polarizarea directa a structurii (plus pe anod minus pe catod).✓ Правильный ответ
numai polarizarea directa a structurii (plus pe anod minus pe catod).
comanda de pe poarta si polarizarea inversa a structurii (minus pe anod pe plus catod)

Consideram o dioda cu germaniu si o dioda cu siliciu avand aceleasi limite de curent. Comparand cele doua diode in ceea ce priveste caderea de tensiune corespunzatoare unui anumit curent in regim de conductie directa si curentul rezidual in regim de conductie inversa, se poate face urmatoarea afirmatie:

Один правильный вариант

caderea de tensiune in conductie directa si curentul invers sunt mai mici la dioda cu siliciu
caderea de tensiune in conductie directa este mai mica iar curentul invers este mai mare la dioda cu siliciu
caderea de tensiune in conductie directa si curentul invers sunt mai mari la dioda cu siliciu
caderea de tensiune in conductie directa este mai mare iar curentul invers este mai mic la dioda cu siliciu✓ Правильный ответ

Figura6 prezinta simbolul unui

Изображение недоступно в источнике.

Один правильный вариант

TECMOS cu canal initial p
TECMOS cu canal initial n
TECMOS cu canal indus p
TECMOS cu canal indus n✓ Правильный ответ

Перед подготовкой

Нужна ли регистрация, чтобы начать?

Гостевой доступ — 23 минуты. После бесплатной регистрации можно продолжать без ограничений, сохранять прогресс и просматривать ошибки в личном кабинете.

На каком языке будут вопросы?

Вопросы и варианты ответа сохраняют язык исходной базы. Язык интерфейса можно переключить отдельно.

Можно ли использовать результат как официальный документ?

Нет. Это самостоятельная подготовка. Результат тренажёра не заменяет экзамен, свидетельство или проверку знаний у уполномоченной организации.